MOSFET canal N Infineon 43 A 200 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9427
- Référence fabricant:
- IRFS38N20DTRLP
- Marque:
- Infineon
Sous-total (800 unités, sur une bobine de 800)*
936,80 €
HT
1 124,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 23 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,171 € | 936,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9427
- Référence fabricant:
- IRFS38N20DTRLP
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 43A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 54mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 320W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 60nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 43A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 54mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 320W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 60nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un MOSFET IR à canal n simple 200 V dans un boîtier D2 Pak.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Boîtier de capacité de transport de courant élevé (jusqu'à 195 A, en fonction de la taille de la matrice)
Peut être soudé à la vague
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 43 A 200 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 43 A 150 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 43 A 60 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 24 A 200 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 62 A 200 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 17 A 100 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 64 A 55 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 195 A 60 V, TO-263 HEXFET