MOSFET canal N Infineon 62 A 200 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9431
- Référence fabricant:
- IRFS4227TRLPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,115 € | 8,23 € |
| 20 - 48 | 3,67 € | 7,34 € |
| 50 - 98 | 3,415 € | 6,83 € |
| 100 - 198 | 3,17 € | 6,34 € |
| 200 + | 2,97 € | 5,94 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9431
- Référence fabricant:
- IRFS4227TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 62A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 26mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 62A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 26mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un commutateur PDP à mosfet de puissance HEXFET à canal n simple 200 V dans un boîtier D2 Pak.
Technologie de processus avancée
Paramètres clés optimisés pour le maintien PDP, la récupération d'énergie et les applications de commutateur de passage
Faible valeur nominale d'impulsion E pour réduire la puissance
Dissipation dans les applications de maintien de la PDP, de récupération d'énergie et de commutateur de passage
Faible QG pour une réponse rapide
Haute capacité de courant de crête répétitif pour
Fonctionnement fiable
Temps de chute et de montée courts pour une commutation rapide
Température de jonction de fonctionnement de 175 °C pour une meilleure robustesse
Capacité d'avalanche répétitive pour plus de robustesse et de fiabilité
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