MOSFET canal N Infineon 62 A 200 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9430
- Référence fabricant:
- IRFS4227TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 257-9430
- Référence fabricant:
- IRFS4227TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 62A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 26mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 62A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 26mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un commutateur PDP à mosfet de puissance HEXFET à canal n simple 200 V dans un boîtier D2 Pak.
Technologie de processus avancée
Paramètres clés optimisés pour le maintien PDP, la récupération d'énergie et les applications de commutateur de passage
Faible valeur nominale d'impulsion E pour réduire la puissance
Dissipation dans les applications de maintien de la PDP, de récupération d'énergie et de commutateur de passage
Faible QG pour une réponse rapide
Haute capacité de courant de crête répétitif pour
Fonctionnement fiable
Temps de chute et de montée courts pour une commutation rapide
Température de jonction de fonctionnement de 175 °C pour une meilleure robustesse
Capacité d'avalanche répétitive pour plus de robustesse et de fiabilité
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 62 A 200 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET et Diode canal N Infineon 62 A 75 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 24 A 200 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 43 A 200 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 17 A 100 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 64 A 55 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 195 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 85 A 150 V, TO-263 HEXFET