MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 166 A 100 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 218-3026
- Référence fabricant:
- IPB027N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
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Ajouté
Prix pour l'unité (en bobine de 1000)
2,622 €
HT
3,146 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 1000 + | 2,622 € | 2 622,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 218-3026
- Référence fabricant:
- IPB027N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS TM 5 100 V. Il est spécialement conçu pour la rectification synchrone dans les blocs de télécommunications, y compris l'or, le remplacement à chaud et la protection de batterie, ainsi que pour les applications d'alimentation de serveur.
RDS(on) très faible résistance à l'état passant
Canal N, niveau normal
Testé à 100 % en avalanche
Placage compatible sans plomb
Canal N, niveau normal
Testé à 100 % en avalanche
Placage compatible sans plomb
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 166 A |
| Tension Drain Source maximum | 100 V |
| Série | OptiMOS™ 5 |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,0027 Ω |
| Tension de seuil maximale de la grille | 3.8V |
| Matériau du transistor | Si |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
- Code commande RS:
- 218-3026
- Référence fabricant:
- IPB027N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon