MOSFET canal N Infineon 166 A 100 V N, 7 broches, TO-263 iPB
- Code commande RS:
- 258-3791
- Référence fabricant:
- IPB032N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,50 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3791
- Référence fabricant:
- IPB032N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 166A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.2mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 187W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 76nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 166A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.2mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 187W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 76nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS 5 100 V est spécialement conçu pour la rectification synchrone dans les blocs de télécommunications, y compris l'or-ing, l'échange à chaud et la protection des batteries, ainsi que pour les applications d'alimentation de serveur. Le dispositif est doté d'un RDS(on) inférieur de 22 % par rapport à des dispositifs similaires. L'un des principaux contributeurs à ce FOM leader de l'industrie est la faible résistance à l'état passant fournissant le plus haut niveau de densité de puissance et d'efficacité.
Pertes de conduction et de commutation réduites
Moins de parallélisation nécessaire
Densité de puissance accrue
Dépassement de faible tension
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