MOSFET canal N Infineon 166 A 80 V N, 3 broches, TO-263 iPB

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Code commande RS:
258-3789
Référence fabricant:
IPB024N08N5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

166A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

TO-263

Série

iPB

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.4mΩ

Mode de canal

N

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

920mV

Dissipation de puissance maximum Pd

214W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

99nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance industrielle Infineon OptiMOS 5 80 V offre une réduction de RDS(on) de 43 % par rapport aux générations précédentes et est parfaitement adapté pour les fréquences de commutation élevées. Les dispositifs de cette famille sont spécialement conçus pour la rectification synchrone dans les alimentations de télécommunications et de serveurs. En outre, ils peuvent également être utilisés dans d'autres applications industrielles telles que les variateurs solaires, les variateurs basse tension et les adaptateurs.

Optimisé pour le redressement synchrone

Idéal pour une fréquence de commutation élevée

Moins de parallélisation nécessaire

Densité de puissance accrue

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