MOSFET canal N Infineon 260 A 80 V P, 7 broches, TO-263 iPB

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
258-3784
Référence fabricant:
IPB015N08N5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

260A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

iPB

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

1.5mΩ

Mode de canal

P

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

375W

Tension directe Vf

860mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

178nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

IEC 61249-2-21, RoHS

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance industrielle Infineon OptiMOS 5 80 V offre une réduction de RDS(on) de 43 % par rapport aux générations précédentes et est parfaitement adapté pour les fréquences de commutation élevées. Les dispositifs de cette famille sont spécialement conçus pour la rectification synchrone dans les alimentations de télécommunications et de serveurs. En outre, ils peuvent également être utilisés dans d'autres applications industrielles telles que les variateurs solaires, les variateurs basse tension et les adaptateurs.

Pertes de conduction et de commutation réduites

Moins de parallélisation nécessaire

Densité de puissance accrue

Dépassement de faible tension

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