MOSFET Infineon canal N, PG-TO263-7 260 A 80 V

Le transistor MOSFET de puissance industrielle Infineon OptiMOS 5 80 V offre une réduction de RDS(on) de 43 % par rapport aux générations précédentes et est parfaitement adapté pour les fréquences de commutation élevées. Les dispositifs de cette famille sont spécialement conçus pour la rectification synchrone dans les alimentations de télécommunications et de serveurs. En outre, ils peuvent également être utilisés dans d'autres applications industrielles telles que les variateurs solaires, les variateurs basse tension et les adaptateurs.

Pertes de conduction et de commutation réduites
Moins de parallélisation nécessaire
Densité de puissance accrue
Dépassement de faible tension