MOSFET canal N Infineon 109 A 600 V, 3 broches, TO-247 600V CoolMOS C7
- Code commande RS:
- 218-3085
- Référence fabricant:
- IPW60R017C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 218-3085
- Référence fabricant:
- IPW60R017C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 109A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | 600V CoolMOS C7 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 17mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 240nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 446W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.21mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 109A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série 600V CoolMOS C7 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 17mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 240nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 446W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.21mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N série Infineon 600 V CoolMOS. Le CoolMOS C7 est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de superjonction (SJ) et développée par Infineon Technologies.
Adapté pour la commutation dure et souple (PFC et LLC hautes performances)
Robustesse MOSFET dv/dt augmentée à 120 V/ns
Fréquence de commutation accrue
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