MOSFET canal N Infineon 4 A 950 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 219-5995
- Référence fabricant:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 15 unités)*
14,66 €
HT
17,58 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,977 € | 14,66 € |
| 75 - 135 | 0,927 € | 13,91 € |
| 150 - 360 | 0,888 € | 13,32 € |
| 375 - 735 | 0,849 € | 12,74 € |
| 750 + | 0,791 € | 11,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-5995
- Référence fabricant:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 950V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | CoolMOS P7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 37W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 950V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série CoolMOS P7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 37W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 6.22mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon CoolMOS série P7, tension de source de drain de 950 V, courant de drain continu de 4 A - IPD95R2K0P7ATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Rds(on) de 2 mΩ minimise les pertes de conduction pendant le fonctionnement à courant élevé
• La charge de grille de 10 nC réduit l'énergie d'entraînement et les pertes liées à la commutation
• Le courant de drain continu de 4 A prend en charge des courants de charge modérés de manière fiable
• La dissipation de puissance maximale de 37 W permet un encombrement thermique important
• La capacité grille-source de 20 V s'adapte aux tensions de commande de grille courantes
Applications
• Idéal pour les interrupteurs primaires d'alimentation à découpage
• Utilisé avec les extrémités avant d'entraînement de moteur industriel
• Peut être utilisé pour la conversion d'énergie dans les systèmes renouvelables
• Convient aux modules d'alimentation compacts à montage en surface
Quelles températures extrêmes peut-il tolérer en fonctionnement?
Comment est-il conditionné pour l'assemblage de circuits imprimés?
Quelles sont les caractéristiques de conduction directe typiques lors de la conduction?
Combien de connexions électriques présente-t-il pour l'intégration des circuits?
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