MOSFET canal N Infineon 7 A 800 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 219-6000
- Référence fabricant:
- IPN80R750P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 219-6000
- Référence fabricant:
- IPN80R750P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | CoolMOS P7 | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 750mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 7.2W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Hauteur | 1.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série CoolMOS P7 | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 750mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 7.2W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.7mm | ||
Hauteur 1.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon 800 V CoolMOS P7 de transistors MOSFET à superjonction est une solution parfaite pour les applications SMPS à faible consommation en répondant entièrement aux besoins du marché en termes de performances, de facilité d'utilisation et de rapport prix/performances. Il se concentre principalement sur les applications flyback, y compris l'adaptateur et le chargeur, le driver de LED, les SMPS audio, les AUX et l'alimentation industrielle. Cette nouvelle famille de produits offre un gain de rendement jusqu'à 0,6 % et une température de MOSFET inférieure de 2 à 8 °C par rapport à son prédécesseur, ainsi qu'aux pièces concurrentes testées dans les applications flyback typiques. Il permet également des conceptions de densité de puissance plus élevée grâce à des pertes de commutation plus faibles et de meilleurs produits DPAK R DS(on). Dans l'ensemble, il permet aux clients d'économiser des coûts de nomenclature et de réduire les efforts d'assemblage.
Facile à piloter et à concevoir
Meilleur rendement de production en réduisant les défaillances liées aux décharges électrostatiques
Moins de problèmes de production et réduction des retours sur le terrain
Pièces faciles à sélectionner pour un réglage fin des conceptions
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