MOSFET et Diode canal N Infineon 162 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET AEC-Q101

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220-7341
Référence fabricant:
AUIRF1404STRL
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET et Diode

Courant continu de Drain maximum Id

162A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

160nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

200W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

9.65mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.67mm

Hauteur

4.83mm

Standard automobile

AEC-Q101

La pince Infineon AUIRF1404STRG est spécialement conçue pour les applications automobiles, cette pince à dénuder. Il est doté d'une conception planaire de transistors MOSFET de puissance HEXFET qui utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans l'automobile et une grande variété d'autres applications.

Technologie planaire Advanced

Valeur nominale dV/dT dynamique

Température d'utilisation de 175 °C

Commutation rapide

Entièrement homologation avalanche

Avalanche répétitive jusqu'à Tjmax

Sans plomb, conforme à la directive RoHS

Qualité automobile

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