MOSFET canal N Infineon 162 A 40 V, TO-263 HEXFET

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Code commande RS:
257-9273
Référence fabricant:
IRF1404STRLPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

162A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Traversant

Résistance Drain Source maximum Rds

4mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

200W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

160nC

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple de 40 V dans un boîtier D2 Pak.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 10 V (appelée niveau normal)

Boîtier d'alimentation à montage en surface standard

Boîtier de capacité de transport de courant élevé (jusqu'à 195 A, en fonction de la taille de la matrice)

Peut être soudé à la vague

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