MOSFET et Diode canal N Infineon 240 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOG OptiMOS 5 AEC-Q101

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220-7364
Référence fabricant:
IAUS240N08S5N019ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET et Diode

Courant continu de Drain maximum Id

240A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

HSOG

Série

OptiMOS 5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon offre une large gamme de transistors MOSFET de puissance certifiés pour l'automobile 75 V - 100 V à canal N utilisant la nouvelle technologie OptiMOS dans divers boîtiers, une gamme RDS(on) de 1,2 mmax. à 190 MΩ en réduisant les émissions de CO2 des voitures de tourisme accélère l'adoption nette de la carte 48 V et donc les générateurs de démarreur 48 V. (Inverseur principal), commutateurs principaux de batterie, convertisseur DCDC ainsi que auxiliaires 48 V. Pour ce marché en développement, Infineon offre une large gamme de MOSFET automobile 80 V et 100 V, Ils sont logés dans différents types de boîtier tels que TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), tolT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) et S308 (TSDSON-8), afin de fournir des solutions pour différentes exigences d'alimentation ainsi que différents concepts de refroidissement au niveau de l'unité de commande électronique (ECU). A côté des applications 48 V, les transistors MOSFET 80 V et 100 V sont également utilisés par exemple dans l'éclairage à LED, l'injection de carburant et la charge sans fil dans les véhicules.

Canal N - Mode d'enrichissement

MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C

Température d'utilisation de 175 °C

Très faible RDS(on)

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