MOSFET canal N Infineon 300 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOG IAUS AEC-Q101

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Code commande RS:
229-1802
Référence fabricant:
IAUS300N08S5N012ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

300A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

HSOG

Série

IAUS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET Infineon à canal n est doté d'une température d'utilisation de 175 °C et testé à 100 % en avalanche.

Il est conforme à la directive RoHS et certifié AEC Q101

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