MOSFET Infineon canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 408 A 80 V, 8 broches

Le transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS IPTG011N08NM5 est fourni dans le boîtier amélioré à sortie TO avec des cordons Gullwing. Avec un encombrement compatible à TO-Leadless, TOLG permet d'excellentes performances électriques par rapport à D2PAK 7 broches avec une réduction de l'espace sur la carte d'environ 60 %. Ce nouveau boîtier en OptiMOS 5 - 80 V offre un RDS(on) très faible et est optimisé pour gérer un courant élevé de 300 A. La flexibilité des cordons Gullwing, OptiMOS dans un boîtier TOLG, offre une excellente fiabilité des joints à souder sur la carte Al-IMS. Cela entraîne 2 cycles thermiques plus élevés sur la carte

Rendement élevé et IEM plus faible
Capacité hautes performances