MOSFET canal N Infineon 408 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOG IPTG
- Code commande RS:
- 233-4385
- Référence fabricant:
- IPTG011N08NM5ATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 10 - 18 | 4,87 € | 9,74 € |
| 20 - 48 | 4,595 € | 9,19 € |
| 50 - 98 | 4,28 € | 8,56 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 233-4385
- Référence fabricant:
- IPTG011N08NM5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 408A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | HSOG | |
| Série | IPTG | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 178nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Largeur | 8.75mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 408A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier HSOG | ||
Série IPTG | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 178nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Largeur 8.75mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS IPTG011N08NM5 est fourni dans le boîtier amélioré à sortie TO avec des cordons Gullwing. Avec un encombrement compatible à TO-Leadless, TOLG permet d'excellentes performances électriques par rapport à D2PAK 7 broches avec une réduction de l'espace sur la carte d'environ 60 %. Ce nouveau boîtier en OptiMOS 5 - 80 V offre un RDS(on) très faible et est optimisé pour gérer un courant élevé de 300 A. La flexibilité des cordons Gullwing, OptiMOS dans un boîtier TOLG, offre une excellente fiabilité des joints à souder sur la carte Al-IMS. Cela entraîne 2 cycles thermiques plus élevés sur la carte
Rendement élevé et IEM plus faible
Capacité hautes performances
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