MOSFET canal N Infineon 108 A 200 V Enrichissement, 8 broches, HSOG IPTG
- Code commande RS:
- 233-4388
- Référence fabricant:
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1800 unités)*
4 699,80 €
HT
5 639,40 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1800 + | 2,611 € | 4 699,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 233-4388
- Référence fabricant:
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 108A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | HSOG | |
| Série | IPTG | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Largeur | 8.75mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 108A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier HSOG | ||
Série IPTG | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 63nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Longueur 10.1mm | ||
Largeur 8.75mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS IPTG111N20NM3FD est fourni dans le boîtier à lame TO amélioré avec des cordons Gullwing. Avec un encombrement compatible à TO-Leadless, TOLG permet d'excellentes performances électriques par rapport à D2PAK 7 broches avec une réduction de l'espace sur la carte d'environ 60 %. Ce nouveau boîtier en OptiMOS 3 - 200 V offre un RDS(on) très faible et est optimisé pour gérer un courant élevé de 300 A. La flexibilité des cordons Gullwing, OptiMOS dans un boîtier TOLG, offre une excellente fiabilité des joints à souder sur la carte Al-IMS.
Rendement élevé et IEM plus faible
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