MOSFET canal N Infineon 300 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOG IAUS AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
229-1803
Référence fabricant:
IAUS300N08S5N012ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

300A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

HSOG

Série

IAUS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET Infineon à canal n est doté d'une température d'utilisation de 175 °C et testé à 100 % en avalanche.

Il est conforme à la directive RoHS et certifié AEC Q101

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