MOSFET et Diode canal N Infineon 105 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS 5

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

2 892,00 €

HT

3 470,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +2,892 €2 892,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
220-7384
Référence fabricant:
IPB083N15N5LFATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET et Diode

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

105A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Série

OptiMOS 5

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Infineon OptiMOS Linear FET est une approche révolutionnaire pour éviter le compromis entre la résistance à l'état passant (R DS(on)) et la capacité de mode linéaire - fonctionnement dans la zone de saturation d'un transistor MOSFET à mode amélioré. Il offre le R DS(on) de pointe d'un transistor MOSFET à tranchée ainsi que la large zone de fonctionnement sûre d'un transistor MOSFET planaire classique.

Combinaison de faible R DS(on) et d'une large zone de fonctionnement sûre (SOA)

Courant d'impulsion max. élevé

Courant d'impulsion continu élevé

Fonctionnement en mode linéaire robuste

Faibles pertes de conduction

Courant d'appel plus élevé activé pour un démarrage plus rapide et un abaissement plus court Temps

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.