MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 105 A 150 V, 3 broches

Code commande RS:: 220-7384
Référence fabricant:: IPB083N15N5LFATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 105 A 150 V, 3 broches

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Code commande RS:: 220-7384
Référence fabricant:: IPB083N15N5LFATMA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

Datasheet - IPB083N15N5LFATMA1

Législation et Conformité

Détail produit

Infineon OptiMOS Linear FET est une approche révolutionnaire pour éviter le compromis entre la résistance à l'état passant (R DS(on)) et la capacité de mode linéaire - fonctionnement dans la zone de saturation d'un transistor MOSFET à mode amélioré. Il offre le R DS(on) de pointe d'un transistor MOSFET à tranchée ainsi que la large zone de fonctionnement sûre d'un transistor MOSFET planaire classique.

Combinaison de faible R DS(on) et d'une large zone de fonctionnement sûre (SOA)
Courant d'impulsion max. élevé
Courant d'impulsion continu élevé
Fonctionnement en mode linéaire robuste
Faibles pertes de conduction
Courant d'appel plus élevé activé pour un démarrage plus rapide et un abaissement plus court Temps

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	105 A
Tension Drain Source maximum	150 V
Série	OptiMOS™ 5
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	0,0083 O
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4.9V
Nombre d'éléments par circuit	1

MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 105 A 150 V, 3 broches

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