MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, DirectFET isométrique 40 A 40 V

La famille Infineon Strong IRFET MOSFET de puissance est optimisée pour les capacités de faible RDS(on) et de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Optimisé pour la plus grande disponibilité des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Intensité nominale élevée
Capacité de refroidissement double face
Hauteur de boîtier faible de 0,7 mm
Boîtier d'inductance faible parasite (1 - 2 NH)
Large disponibilité des partenaires de distribution
Niveau de qualification standard
Haute capacité de transport de courant
Performances thermiques optimales
Facteur de forme compact
Haut rendement
Ecologique.