MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, TDSON 205 A 40 V, 8 broches

Le transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS 5 dans un boîtier SuperSO8 offre la toute dernière technologie ainsi que des améliorations de température dans le boîtier. Cette nouvelle combinaison permet une plus grande densité de puissance ainsi qu'une plus grande robustesse. Par rapport aux dispositifs à faible valeur nominale, la fonction TJ_MAX de 175 °C offre soit plus de puissance à une température de jonction de fonctionnement plus élevée, soit une plus longue durée de vie à la même température de jonction de fonctionnement. En outre, une amélioration de 20 % de la zone de fonctionnement sûre (SOA) est obtenue. Cette nouvelle fonction de boîtier est la solution idéale pour les applications telles que les télécommunications, les entraînements de moteur et les serveurs.

Faible RDS(on)
Optimisé pour une rectification synchrone
Capacité de 175 °C améliorée dans SuperSO8
Durée de vie plus longue
Rendement et densité de puissance les plus élevés
Fiabilité du système la plus élevée
Robustesse thermique