MOSFET canal N DiodesZetex 1.3 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 DMN AEC-Q101

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Code commande RS:
222-2830
Référence fabricant:
DMN2310UWQ-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1.3A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

DMN

Type de Boitier

SOT-323

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

200mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.7nC

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

0.45W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.2mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.35mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le MOSFET DiodesZetex à mode d'amélioration à canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible résistance à état passant

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

Totalement sans plomb et entièrement conforme à la directive RoHS

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