MOSFET canal N Infineon 74 A 80 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS-TM5

Code commande RS:: 222-4619
Référence fabricant:: BSC072N08NS5ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 74 A 80 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS-TM5

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

3 565,00 €

4 280,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
5000 +	0,713 €	3 565,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 222-4619
Référence fabricant:: BSC072N08NS5ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	74A
	Tension Drain Source maximum Vds	80V
	Série	OptiMOS-TM5
	Type de Boitier	TDSON
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	7.2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	69W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	24nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	6.1mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1.2mm
	Longueur	5.35mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 74A
	Tension Drain Source maximum Vds 80V
	Série OptiMOS-TM5
	Type de Boitier TDSON
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 7.2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 69W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 6.1mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1.2mm
	Longueur 5.35mm
	Standard automobile Non

Datasheet - BSC072N08NS5ATMA1

Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS-TM5, tension de source de drain maximale de 80 V, courant de drain continu maximal de 74 A - BSC072N08NS5ATMA1

Ce MOSFET est un semi-conducteur à canal N à courant élevé conçu pour la commutation et la conversion de puissance dans les environnements thermiques exigeants. Il fonctionne sur une large plage de températures et accepte des tensions de grille jusqu'à 20 V, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant un entraînement de grille robuste et un courant de drain continu substantiel lorsqu'il est monté comme un dispositif de surface compact.

Caractéristiques et avantages :

• La valeur nominale de drain de 80 V permet des applications de commutation à haute tension
• Le courant continu de 74 A prend en charge les niveaux de puissance à forte charge
• Le Rds(on) de 7.2 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 69 W permet une charge thermique soutenue
• Charge de grille typique de 24 nC pour un comportement de commutation prévisible
• Le boîtier de surface TDSON à 8 broches permet d'économiser sur les circuits imprimés compacts

Applications

• Convient aux étages d'entraînement de moteur à courant élevé
• Idéal pour les étages de sortie des convertisseurs c.c.-c.c.
• Utilisé avec les modules de distribution d'alimentation dans les racks de serveurs
• Peut être utilisé pour la gestion des batteries et les systèmes de charge
• Utilisé pour le redressement synchrone dans les alimentations

Quelles sont les extrêmes thermiques qu'il peut tolérer pendant son fonctionnement?

Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C.

Quelle plage de tension d'entraînement de grille est admissible pour la commande de commutation?

La grille peut être commandée jusqu'à 20 V pour commuter le dispositif.

Comment le boîtier prend-il en charge l'assemblage automatisé?

Il est fourni dans un boîtier TDSON à 8 broches destiné au montage en surface.

Quelle est la charge de commutation typique à prendre en compte dans les drivers de grille?

Les concepteurs doivent prendre en compte une charge de grille totale typique de 24 nC lors de la sélection d'un driver.