MOSFET canal N Infineon 12.5 A 600 V Enrichissement, 8 broches, HSOF CoolGaN
- Code commande RS:
- 222-4638
- Référence fabricant:
- IGT60R190D1SATMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 222-4638
- Référence fabricant:
- IGT60R190D1SATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | CoolGaN | |
| Type de Boitier | HSOF | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série CoolGaN | ||
Type de Boitier HSOF | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série P6 de refroidissement MOS TM combine l'expérience du fournisseur de MOSFET SJ le plus important avec l'innovation de haute qualité. Les dispositifs proposés offrent tous les avantages d'un transistor MOSFET SJ à commutation rapide tout en ne sacrifiant pas la facilité d'utilisation. Les pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles rendent les applications de commutation encore plus efficaces, plus compactes, plus légères et plus froides.
Robustesse MOSFET dv/dt améliorée
Pertes extrêmement faibles grâce à un très faible FOM RDSon * Qg et Eoss
Robustesse de commutation très élevée
Pâte moulée sans halogène à placage sans PB
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