MOSFET canal N Infineon 12.5 A 600 V Enrichissement, 8 broches, HSOF CoolGaN

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Code commande RS:
222-4638
Référence fabricant:
IGT60R190D1SATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

12.5A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

CoolGaN

Type de Boitier

HSOF

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La conception Infineon de Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série P6 de refroidissement MOS TM combine l'expérience du fournisseur de MOSFET SJ le plus important avec l'innovation de haute qualité. Les dispositifs proposés offrent tous les avantages d'un transistor MOSFET SJ à commutation rapide tout en ne sacrifiant pas la facilité d'utilisation. Les pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles rendent les applications de commutation encore plus efficaces, plus compactes, plus légères et plus froides.

Robustesse MOSFET dv/dt améliorée

Pertes extrêmement faibles grâce à un très faible FOM RDSon * Qg et Eoss

Robustesse de commutation très élevée

Pâte moulée sans halogène à placage sans PB

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