MOSFET canal N Infineon 76 A 600 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4731
- Référence fabricant:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 222-4731
- Référence fabricant:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 76A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 37mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 121nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 255W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 76A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 37mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 121nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 255W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 15.9mm | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de la plate-forme de 7e génération Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies.
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