MOSFET canal N Infineon 13 A 600 V Enrichissement, 10 broches, TO-252 IPD50R
- Code commande RS:
- 222-4904
- Référence fabricant:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,304 € | 16,52 € |
| 25 - 45 | 3,038 € | 15,19 € |
| 50 - 120 | 2,876 € | 14,38 € |
| 125 - 245 | 2,676 € | 13,38 € |
| 250 + | 2,48 € | 12,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4904
- Référence fabricant:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | IPD50R | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 10 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 18nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 76W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 2.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 21.11mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série IPD50R | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 10 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 18nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 76W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 2.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 21.11mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Les technologies Infineon présentent le double DPAK (DDPAK), le premier boîtier de circuit à montage en surface (CMS) refroidi par le dessus, qui s'adresse aux applications SMPS haute puissance telles que l'alimentation PC, l'énergie solaire, le serveur et les télécommunications. Les avantages de la technologie haute tension 600 V CoolMOS TM G7 Superjonction (SJ) MOSFET déjà existante sont combinés avec le concept innovant de refroidissement latéral, fournissant une solution de système pour les topologies de commutation haute intensité telles que PFC et une solution haut de gamme pour les topologies LLC.
Rendement énergétique le plus élevé
Le découplage thermique de la carte et du semi-conducteur permet de surmonter les limites thermiques du circuit imprimé
L'inductance de source parasite réduite améliore l'efficacité et la facilité d'utilisation
Permet des solutions de densité de puissance plus élevée
Dépassant les normes de qualité les plus élevées
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