MOSFET 2 canal Type P Double ROHM 2.5 A 60 V Enrichissement, 7 broches, DFN Non

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Code commande RS:
223-6397
Référence fabricant:
UT6JC5TCR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

DFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

2.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.3nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Longueur

2mm

Normes/homologations

No

Hauteur

650μm

Largeur

2mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à petit signal Rohm est doté du type de boîtier DFN1010-3 W. Il est principalement utilisé pour les circuits de commutation, les commutateurs de charge haute puissance et les drivers de relais.

Tampon de drain ultra-petit et exposé sans câble pour un excellent boîtier en plastique CMS à conduction thermique

Flancs mouillables latéraux pour l'inspection optique automatisée de la soudure

Certifié AEC-Q101

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