MOSFET 2 canal Type N, Type P Double ROHM 7 A 30 V Enrichissement, 9 broches, DFN Non
- Code commande RS:
- 223-6202
- Référence fabricant:
- HS8MA2TCR1
- Marque:
- ROHM
- Code commande RS:
- 223-6202
- Référence fabricant:
- HS8MA2TCR1
- Marque:
- ROHM
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N, Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.08Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 4W | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 800μm | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N, Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier DFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.08Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 4W | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 800μm | ||
Longueur 3.3mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
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