MOSFET 2 canal Type N, Type P Double ROHM 7 A 30 V Enrichissement, 9 broches, DFN Non

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Code commande RS:
223-6202
Référence fabricant:
HS8MA2TCR1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N, Type P

Courant continu de Drain maximum Id

7A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

DFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

9

Résistance Drain Source maximum Rds

0.08Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.8nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

4W

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.3mm

Normes/homologations

No

Hauteur

800μm

Longueur

3.3mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à petit signal Rohm est doté du type de boîtier TSMT8. Il est principalement utilisé pour la commutation.

Faible résistance à l'état passant

Petit boîtier de montage en surface

Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

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