MOSFET canal Type N, Type P ROHM 7 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TSMT QH8MA3

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Code commande RS:
264-3773
Référence fabricant:
QH8MA3TCR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N, Type P

Courant continu de Drain maximum Id

7A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

QH8MA3

Type de Boitier

TSMT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

29mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.2nC

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS, Pb-free lead plating

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Le transistor MOSFET de puissance moyenne de la marque ROHM est adapté pour les alimentations à découpage. En outre, il est doté d'un petit boîtier à montage en surface et d'un placage ne contenant pas de plomb, et est conforme à la directive RoHS.

Faible résistance à l'état passant

Sans halogène

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