MOSFET canal Type N, Type P ROHM 7 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TSMT QH8MA3

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Code commande RS:
264-3773
Référence fabricant:
QH8MA3TCR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Type N, Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

7A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

TSMT

Série

QH8MA3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

29mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.2nC

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS, Pb-free lead plating

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Le transistor MOSFET de puissance moyenne de la marque ROHM est adapté pour les alimentations à découpage. En outre, il est doté d'un petit boîtier à montage en surface et d'un placage ne contenant pas de plomb, et est conforme à la directive RoHS.

Faible résistance à l'état passant

Sans halogène

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