MOSFET canal N Infineon 30 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
223-8515
Référence fabricant:
IPD26N06S2L35ATMA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-263

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

35mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

950mV

Dissipation de puissance maximum Pd

68W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

MOSFET canal N série Infineon OptiMOS dans un boîtier DPAK. Il offre des avantages de capacité de courant la plus élevée, des pertes de puissance de commutation et de conduction les plus faibles pour un rendement thermique plus élevé et des boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité supérieures.

Certifié AEC-Q101 automobile

• Réfusion Peak MSL1 jusqu'à 260 °C.

• Température de fonctionnement de 175 °C.

Boîtier vert

• Rds ultrafaibles

Testé 100 % avalanche

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