MOSFET canal N Infineon 63 A 40 V, 8 broches, TDSON-8 FL ISC
- Code commande RS:
- 234-7005
- Référence fabricant:
- ISC058N04NM5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
1 325,00 €
HT
1 590,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,265 € | 1 325,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 234-7005
- Référence fabricant:
- ISC058N04NM5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 63A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TDSON-8 FL | |
| Série | ISC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.8mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 42W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 1.1mm | |
| Longueur | 3.8mm | |
| Hauteur | 4.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 63A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TDSON-8 FL | ||
Série ISC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.8mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 42W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 1.1mm | ||
Longueur 3.8mm | ||
Hauteur 4.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à canal N à transistor de puissance OptiMOS 5 d'Infineon est doté d'une tension de rupture de source de drain de 40 V et d'un courant de drain continu de 63 A. Ce produit offre une solution de référence pour les applications nécessitant une capacité d'entraînement de niveau normal (tension de seuil supérieure). La valeur élevée de Vth dans le portefeuille de niveaux normaux offre une immunité aux faux déclenchements dus à des environnements bruyants. En outre, des rapports QGD/QGS plus faibles réduisent le pic des pics de tension de la grille, ce qui contribue davantage à la robustesse contre la mise sous tension indésirable.
Application alimentée par batterie
Entraînements de moteur LLV
Très faible résistance sous tension RDS(on)
100 % testé contre les avalanches
Température de jonction de 175 °C
Résistance thermique supérieure
Faible charge de grille
Pertes de commutation réduites
Adapté au fonctionnement à des fréquences plus élevées
Canal N
Il est doté d'un placage ne contenant pas de plomb.
Conformité RoHS
Sans halogène conformément à la norme CEI61249-2-21
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 63 A 40 V TDSON-8 FL ISC
- MOSFET canal N Infineon 77 A 40 V TDSON-8 FL ISC
- MOSFET canal N Infineon 98 A 40 V TDSON-8 FL ISC
- MOSFET canal N Infineon 170 A 40 V TDSON-8 FL ISC
- MOSFET canal N Infineon 121 A 40 V TDSON-8 FL ISC
- MOSFET canal N Infineon 193 A 40 V TDSON-8 FL ISC
- MOSFET de puissance OptiMOST canal N Infineon 63 A 30 V Enrichissement PG-TDSON-8 ISC
- Transistor de puissance canal N Infineon 170 A 120 V Enrichissement PG-TDSON-8 FL ISC