MOSFET Isolé canal N Infineon 25 A 1.2 kV, 2 broches, AG-EASY2B. F4 Non

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
234-8968
Référence fabricant:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

25A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Série

F4

Type de Boitier

AG-EASY2B.

Nombre de broches

2

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Tension directe Vf

5.65V

Tension maximale de source de la grille Vgs

15V

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.062μC

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Isolé

Longueur

62.8mm

Normes/homologations

60749 and 60068, IEC 60747

Largeur

33.8mm

Hauteur

16.4mm

Standard automobile

Non

Le module IGBT d'Infineon est doté d'un transistor FET à 4 canaux N (demi-pont) fonctionnant avec une tension drain-source de 1 200 V et un courant de drain continu de 75 A.

Température de fonctionnement à montage sur châssis

-40 à 150 °C

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