MOSFET P Infineon 3.9 A 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 ISP
- Code commande RS:
- 235-4876
- Référence fabricant:
- ISP16DP10LMXTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,385 € | 385,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,366 € | 366,00 € |
| 3000 + | 0,343 € | 343,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 235-4876
- Référence fabricant:
- ISP16DP10LMXTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | ISP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.38Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11.6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 5W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 5.35mm | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Largeur | 1.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série ISP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.38Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11.6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 5W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 5.35mm | ||
Longueur 6.1mm | ||
Largeur 1.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Les MOSFET Infineon OptiMOS TM à canal P 100 V dans un boîtier SOT-223 représentent la nouvelle technologie ciblée pour la gestion de batterie, les commutateurs de charge et les applications de protection contre les inversions de polarité. L'avantage principal d'un dispositif à canal P est la réduction de la complexité de conception dans les applications de puissance moyenne et faible. Son interface facile au microcontrôleur, sa commutation rapide et sa robustesse en avalanche le rendent adapté pour les applications exigeantes de haute qualité. Il est disponible en niveau normal avec une large plage RDS(on) et améliore le rendement à faibles charges grâce à un faible Qg. Il est utilisé dans la gestion de batterie, l'automatisation industrielle.
Idéal pour une fréquence de commutation élevée et faible
Résiste aux avalanches
Boîtier de montage en surface à encombrement standard
Performances robustes et fiables
Sécurité d'alimentation accrue
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