MOSFET P Infineon -2.8 A 40 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 ISP AEC-Q101

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Code commande RS:
250-0565
Référence fabricant:
ISP25DP06LMSATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

-2.8A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

ISP

Type de Boitier

SOT-223

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Les transistors MOSFET à petit signal canal P OptiMOSTM d'Infineon 60 V dans un boîtier SOT-223 sont la nouvelle technologie destinée aux applications grand public. L'avantage principal d'un petit dispositif de signal à canal P est la réduction de la complexité de la conception dans les applications de puissance moyenne et faible.

Interface facile avec microcontrôleur

Commutation rapide

Résistance Avalanche

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