MOSFET P Toshiba 6 A 20 V, 3 broches, SOT-23

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Code commande RS:
236-3566
Référence fabricant:
SSM3J328R,LF(T
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

88.4mΩ

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12.8nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Tension directe Vf

870mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

2.9mm

Longueur

2.4mm

Hauteur

800μm

Standard automobile

Non

Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type MOS à canal P. Il est principalement utilisé dans les applications de commutation de gestion de l'alimentation.

Plage de températures de stockage : -55 à 150 °C.

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