MOSFET P Toshiba 6 A 12 V, 3 broches, SOT-23

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500 - 9502,512 €125,60 €
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Code commande RS:
236-3569
Référence fabricant:
SSM3J338R,LF(T
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

26.3mΩ

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

0.75V

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19.5nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

2.9mm

Normes/homologations

No

Hauteur

0.8mm

Longueur

2.4mm

Standard automobile

Non

Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type MOS à canal P. Il est principalement utilisé dans les applications de commutation de gestion de l'alimentation.

Plage de températures de stockage : -55 à 150 °C.

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