MOSFET canal N Toshiba 2 A 40 V, 3 broches, SOT-23
- Code commande RS:
- 236-3576
- Référence fabricant:
- SSM3K339R,LF(T
- Marque:
- Toshiba
Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*
258,00 €
HT
309,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,086 € | 258,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 236-3576
- Référence fabricant:
- SSM3K339R,LF(T
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 220mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -0.85V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.4mm | |
| Hauteur | 0.8mm | |
| Largeur | 2.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 220mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -0.85V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.4mm | ||
Hauteur 0.8mm | ||
Largeur 2.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type MOS à canal N. Il est principalement utilisé dans les applications de commutation de gestion de l'alimentation.
Plage de températures de stockage : -55 à 150 °C.