MOSFET canal N Toshiba 3.5 A 30 V, 3 broches, SOT-23

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Code commande RS:
236-3574
Référence fabricant:
SSM3K329R,LF(T
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

3.5A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

289mΩ

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Tension directe Vf

-0.9V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

0.8mm

Largeur

2.9mm

Normes/homologations

No

Longueur

2.4mm

Standard automobile

Non

Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type MOS à canal N. Il est principalement utilisé dans les applications de commutation de gestion de l'alimentation et de commutation haute vitesse.

Plage de températures de stockage : -55 à 150 °C.

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