MOSFET canal N Toshiba 200 mA 60 V, 3 broches, SOT-23 T2N7002AK

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Code commande RS:
236-3584
Référence fabricant:
T2N7002AK,LM(T
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

T2N7002AK

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.2mΩ

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.27nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Tension directe Vf

-0.87V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

2.4mm

Largeur

2.9mm

Hauteur

800μm

Standard automobile

Non

Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type MOS à canal N. Il est principalement utilisé dans les applications de commutation haute vitesse.

Plage de températures de stockage : -55 à 150 °C.

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