MOSFET canal N Toshiba 168 A 75 V, 8 broches, SOP
- Code commande RS:
- 236-3629
- Référence fabricant:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Marque:
- Toshiba
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,376 € | 11,88 € |
| 50 - 495 | 2,08 € | 10,40 € |
| 500 - 995 | 1,848 € | 9,24 € |
| 1000 - 2495 | 1,66 € | 8,30 € |
| 2500 + | 1,628 € | 8,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 236-3629
- Référence fabricant:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 168A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | SOP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.6mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 72nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 950μm | |
| Longueur | 6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 168A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier SOP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.6mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 72nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 950μm | ||
Longueur 6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de Toshiba est composé du matériau en silicium et du type MOS à canal N. Il est principalement utilisé dans les convertisseurs c.c.-c.c. à haut rendement et les applications de régulateurs de tension de commutation.
Commutation haute vitesse
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