Références fabricant

MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 59 A 100 V, 8 broches

Name: MOSFET Toshiba canal N, SOP avancé 59 A 100 V, 8 broches
Brand: Toshiba
SKU: 796-5156
Availability: OutOfStock

Actuellement indisponible

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Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum	59 A
	Tension Drain Source maximum	100 V
	Type de boîtier	SOP avancé
	Série	TPH
	Type de montage	CMS
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum	8, 8 MΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension de seuil maximale de la grille	4V
	Dissipation de puissance maximum	61 W
	Configuration du transistor	Simple
	Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
	Matériau du transistor	Si
	Largeur	5mm
	Température d'utilisation maximum	+150 °C
	Longueur	5mm
	Charge de Grille type @ Vgs	33 nC @ 10 V
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Hauteur	0.95mm

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	Marque Toshiba
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum 59 A
	Tension Drain Source maximum 100 V
	Type de boîtier SOP avancé
	Série TPH
	Type de montage CMS
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum 8, 8 MΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension de seuil maximale de la grille 4V
	Dissipation de puissance maximum 61 W
	Configuration du transistor Simple
	Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
	Matériau du transistor Si
	Largeur 5mm
	Température d'utilisation maximum +150 °C
	Longueur 5mm
	Charge de Grille type @ Vgs 33 nC @ 10 V
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Hauteur 0.95mm

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