MOSFET Infineon canal N, DFN2020 11 A 100 V

Le transistor MOSFET de puissance à canal N IRL100HS121 d'Infineon est disponible en trois classes de tension différentes (60 V, 80 V et 100 V), les nouveaux transistors MOSFET de puissance de niveau logique d'Infineon sont parfaitement adaptés au chargement sans fil, aux télécommunications et aux applications d'adaptateur. Le boîtier PQFN 2x2 est particulièrement adapté pour les applications critiques de commutation haute vitesse et de facteur de forme. Il permet une densité de puissance plus élevée et un rendement amélioré, ainsi qu'un gain de place significatif.

Le plus petit FOM (R DS(on) x Q g/gd)
Q g, C oss et Q rr optimisés pour une commutation rapide
Compatibilité de niveau logique
Petit boîtier PQFN de 2 x 2 mm
Conceptions à plus forte densité de puissance
Fréquence de commutation plus élevée
Utilise la puce OptiMOSTM5
Nombre de pièces réduit partout où des alimentations de 5 V sont disponibles
Piloté directement à partir de micro-contrôleurs (commutation lente)
Réduction des coûts du système