MOSFET canal N onsemi 58 A 1.2 kV N, 5 broches, DFN-5 NTM
- Code commande RS:
- 244-9183
- Référence fabricant:
- NTMFS3D2N10MDT1G
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 244-9183
- Référence fabricant:
- NTMFS3D2N10MDT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 58A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Série | NTM | |
| Type de Boitier | DFN-5 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 22mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 117W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 48nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | Pb-Free, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 58A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Série NTM | ||
Type de Boitier DFN-5 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 22mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 117W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 48nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations Pb-Free, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET on Semiconductor utilisé comme commutateur principal dans un convertisseur c.c.-c.c. isolé, une rectification synchrone (SR) dans les adaptateurs c.c.-c.c. et c.a.-c.c., c.a.-c.c. (USB PD) SR, un commutateur de charge, un remplacement à chaud, un commutateur à joint torique, un moteur BLDC et un inverseur solaire. La tension drain à source et la tension porte à source pour ce transistor MOSFET sont respectivement de 100 V et ±20 V.
Technologie MOSFET à grille blindée
Faible RDS (marche) pour réduire les pertes de conduction
Faibles QG et capacité pour réduire les pertes de commande
Faible QRR, diode de corps à récupération souple
Faible QOSS pour améliorer l'efficacité de charge légère
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR, sans béryllium et sont conformes à la directive RoHS
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