MOSFET 2 canal Type P Double DiodesZetex 550 mA 30 V Enrichissement, 6 broches, US Non
- Code commande RS:
- 246-7532
- Référence fabricant:
- DMP31D7LDWQ-7
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-7532
- Référence fabricant:
- DMP31D7LDWQ-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 550mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | US | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -0.8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.29W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 550mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier US | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -0.8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.29W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à double canal P en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier SOT363 et son profil de 0,6 mm le rend idéal pour les applications à faible encombrement. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.
La tension maximale drain-source est de 30 V. La tension maximale de la grille à la source est de ±20 V. Il offre une faible tension de seuil de grille. Il offre une faible capacitance d'entrée.
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