MOSFET canal N DiodesZetex 41 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 AEC-Q101

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Code commande RS:
246-7568
Référence fabricant:
DMTH6016LFVWQ-7-A
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

41A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PowerDI3333-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.027Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.73W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET DiodesZetex est conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il est soutenu par un PPAP et est idéal pour une utilisation dans : Le rétro-éclairage, les fonctions de gestion de l'énergie et les convertisseurs c.c.-c.c.. Il est disponible dans le boîtier powerDI3333-8 (SWP) (Type UX).

Classé à +175 °C, idéal pour les environnements à température ambiante élevée. Le test de commutation inductive non bridée (UIS) à 100 % en production garantit une application finale plus fiable et plus robuste. Le petit boîtier thermiquement efficace permet des produits finaux de plus haute densité.

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