MOSFET Infineon canal N, TO-263-7 17 A 650 V, 7 broches
- Code commande RS:
- 248-9328
- Référence fabricant:
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Marque:
- Infineon
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5,13 €
HT
6,16 €
TTC
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,13 € |
| 10 - 24 | 4,87 € |
| 25 - 49 | 4,66 € |
| 50 - 99 | 4,47 € |
| 100 + | 4,15 € |
- Code commande RS:
- 248-9328
- Référence fabricant:
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET SiC d'Infineon est un transistor CoolSiC 650 V construit sur la technologie de carbure de silicium solide, tirant parti des caractéristiques du matériau SiC à large écart de bande. Le transistor MOSFET CoolSiC 650 V offre une combinaison unique de performances, de fiabilité et de facilité d'utilisation, adapté à des températures élevées et à des opérations difficiles, il permet le déploiement simplifié et rentable du plus haut rendement du système.
Comportement de commutation optimisé à des courants plus élevés
Diode à corps rapide robuste de commutation avec faible Qf
Fiabilité de l'oxyde de grille supérieure
Tj max. -175 °C et excellent comportement thermique
Faible RDS(en marche) et faible dépendance du courant d'impulsion à la température
Capacité d'avalanche accrue
Compatible avec des drivers standard
La source Kelvin fournit jusqu'à 4 fois moins de pertes de commutation
Diode à corps rapide robuste de commutation avec faible Qf
Fiabilité de l'oxyde de grille supérieure
Tj max. -175 °C et excellent comportement thermique
Faible RDS(en marche) et faible dépendance du courant d'impulsion à la température
Capacité d'avalanche accrue
Compatible avec des drivers standard
La source Kelvin fournit jusqu'à 4 fois moins de pertes de commutation
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 17 A |
| Tension Drain Source maximum | 650 V |
| Type de boîtier | TO-263-7 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 7 |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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