Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 35 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STD AEC-Q101

Code commande RS:: 249-6744
Référence fabricant:: STD80N240K6
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 35 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STD AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

7 215,00 €

8 657,50 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	2,886 €	7 215,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 249-6744
Référence fabricant:: STD80N240K6
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	80A
	Tension Drain Source maximum Vds	35V
	Série	STD
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.01mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	14nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	70W
	Tension directe Vf	1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	10.1mm
	Normes/homologations	UL
	Largeur	6.6mm
	Hauteur	2.4mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 80A
	Tension Drain Source maximum Vds 35V
	Série STD
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.01mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 70W
	Tension directe Vf 1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 10.1mm
	Normes/homologations UL
	Largeur 6.6mm
	Hauteur 2.4mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - STD80N240K6

Le MOSFET de puissance à canal N à très haute tension de STMicroelectronics est conçu en utilisant la technologie ultime de la maille K6 basée sur la technologie de super jonction. Le résultat est la meilleure résistance à l'enclenchement par surface et charge de grille de sa catégorie pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un rendement élevé.

Meilleur RDS(on) x surface au monde

Meilleur FOM (facteur de mérite) au monde

Charge de grille ultra faible

Testé à 100% en avalanche

Protégé par Zener

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