MOSFET canal N Infineon 35 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-8953
- Référence fabricant:
- AUIRFR540Z
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 214-8953
- Référence fabricant:
- AUIRFR540Z
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 35A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 28.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 91W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.73mm | |
| Longueur | 6.22mm | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 35A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 28.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 91W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.73mm | ||
Longueur 6.22mm | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Les transistors MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilisent les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont la température d'utilisation de la jonction à 175 °C, la vitesse de commutation rapide et l'indice d'avalanche répétitif amélioré. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications automobiles et une grande variété d'autres applications.
Technologie de traitement avancée
Résistance à l'état passant ultra faible
Homologué pour l'automobile
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