MOSFET canal N Infineon 35 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-8951
- Référence fabricant:
- AUIRFR540Z
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 75 unités)*
66,675 €
HT
80,025 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 75 + | 0,889 € | 66,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-8951
- Référence fabricant:
- AUIRFR540Z
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 35A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 28.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 91W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 6.73mm | |
| Longueur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 35A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 28.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 91W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 6.73mm | ||
Longueur 6.22mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Les transistors MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilisent les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont la température d'utilisation de la jonction à 175 °C, la vitesse de commutation rapide et l'indice d'avalanche répétitif amélioré. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications automobiles et une grande variété d'autres applications.
Technologie de traitement avancée
Résistance à l'état passant ultra faible
Homologué pour l'automobile
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