MOSFET canal N Infineon 90 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IPD AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 167,50 €

HT

1 400,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,467 €1 167,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
249-6912
Référence fabricant:
IPD90N06S405ATMA2
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

90A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-252

Série

IPD

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

L'OptiMOS d'Infineon est un MOSFET de puissance pour les applications automobiles. Le canal de fonctionnement est N. Il est homologué AEC Q101. MSL1 jusqu'à 260 °C de reflux de crête. Produit écologique (conforme à la directive RoHS) et testé à 100 % Avalanche.

Température d'utilisation de 175 °C

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.